超高密度磁记录磁头用薄膜材料的研究

作者:6up  来源:6upPokerStars  时间:2020-04-11 21:16  点击:

  磁记录存储系统中通常使用复合磁头,它包含两部分:一是写入信息的软磁薄膜写磁头,

  另一个是读取信息的GMR读磁头。这两部分性能的优劣直接影响磁记录系统的记录性能。本论文主

  要以下对三部分进行了研究:一是GMR读磁头用水平取向CoCrPt硬磁偏置层的研究;二是FeCo反铁

  引入一层3 nm的CoCr中间层后,我们得到了不同Pt原子百分比(8.5-25 at%)的(11(?)0)水平取向

  的CoCrPt薄膜。CoCr中间层层对于调整衬底层与磁性层之间的错配度,促进外延生长起到了关键作

  2.我们利用3维微磁学模型对于CoCrPt水平矫顽力的机理进行了研究,发现CoCrPt水平矫

  顽力是由磁晶各向异性能和磁弹性各向异性能两项决定的,当Pt的原子百分比大于15%时,CoCrPt

  随着N_2流量比fN的值的变化而变化。当N_2流量比fN的值为10%时,薄膜的磁性最好为:4πMs~

  当N_2流量比,fN的值为10%时,我们得到最高的铁磁共振频率为3.45 GHz。6.FeCo单层膜和

  FeCoN薄膜的磁性相比较是由两种不同的磁化过程决定的,FeCo单层薄膜是团簇的磁化过程;而

  FeCoN薄膜是均匀的颗粒,它的矫顽力的显著降低可以归因于晶粒尺寸效应。

  做非磁性金属中间层制备了FeCo反铁磁耦合薄膜。在Ru层厚度为0.88 nm,反铁磁耦合薄膜的耦合

  表面的磁畴变化,研究了薄膜的反磁化过程。多层薄膜沉积态是上下两层对应分畴的,磁化到饱和

  后所有磁矩都沿外场反向排列。随着外场的降低薄膜上层磁性层先开始出现反向畴,开始翻转。当

  磁场降至反向40 Oe时,薄膜上层的磁畴几乎完全翻转,只有少部分由于缺陷的存在而被钉扎。反

  向磁场继续增大,下层磁性层磁矩开始分畴翻转。当磁畴增加至反向650 Oe时,上下两层磁性层磁

  矩都已翻转沿外场方向排列。即多层膜上层磁矩先随外场的降低开始分畴翻转,上层翻转后下层再

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